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推薦資訊

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  JANTX1N6101低電容二極管陣列Microsemi 2024-11-21 09:56:12

  1N6101是一款低電容隔離二極管陣列，用于保護(hù)多達(dá)八個I/O端口免受ESD、EFT或浪涌的影響，具有高擊穿電壓、低漏電流、低電容和快速開關(guān)速度等特點，適用于高頻數(shù)據(jù)線、RS-232/RS-422接口網(wǎng)絡(luò)、以太網(wǎng)、計算機I/O端口等應(yīng)用，并符合MIL-PRF-19500/474標(biāo)準(zhǔn)。

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  Microsemi 2N6782 N溝道MOSFET場效應(yīng)晶體管 2025-05-08 09:04:36

  Microsemi 2N6782是一款N溝道MOSFET，具有100V漏源電壓(Vds)和±20V柵源電壓(Vgs)的耐壓能力，在25°C時連續(xù)漏極電流達(dá)3.5A（100°C時為2.25A），最大功耗15W。其導(dǎo)通電阻低至0.6Ω（Vgs=10V時），工作溫度范圍-55°C至+150°C，具備100V漏源擊穿電壓和2-4V的柵極閾值電壓。動態(tài)特性方面，柵極電荷8.1-40nC，開關(guān)延遲15-45ns，適用于高頻開關(guān)場景。該器件特別適合電源管理、電機驅(qū)動及逆變器等需要高壓大電流處理的電子系統(tǒng)，兼具高效能和快速響應(yīng)特性。